编辑-Z
IPW65R080CFDA英飞凌MOS管参数：
型号：IPW65R080CFDA
连续漏极电流（ID）：137A
功耗（Ptot）：391W
贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS：650V
栅极阈值电压V(GS)th：4V
零栅极电压漏极电流（IDSS）：2uA
栅源漏电流（IGSS）：100nA
漏源导通电阻RDS(on)：0.072Ω
输入电容（Ciss）：4440pF
输出电容（Coss）：210pF
二极管正向电压（VSD）：0.9V
反向恢复时间（trr）：180ns
IPW65R080CFDA提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时还提供了一个非常快速和坚固的体二极管。这种极低的开关损耗、换向损耗和传导损耗以及最高的稳健性相结合，使得谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更酷。
IPW65R080CFDA特征：
超快体二极管
极高的换向坚固性
由于FOM Rdson*Qg和Eoss非常低，因此损失极低
易于使用/驾驶
符合AEC Q101
绿色包装（符合RoHS标准），无铅电镀，模具化合物无卤素
IPW65R080CFDA应用：
650V CoolMOS TM CFDA专为开关应用而设计。
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
