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ASEMI大功率MOS管90N10参数：

型号：90N10

漏源电压（VDSS）：100V

连续漏极电流（ID）：90A

栅源电压（VGSS）：±20V

功耗（PD）：125W

漏源漏电流（IDSS）：100uA

栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：8mΩ

输出电容（COSS）：940pF

脉冲漏极电流（IDM）：360A

漏源二极管正向电压（VSD）：1.2V

反向恢复时间（trr）：65nS

ASEMI大功率MOS管90N10参数，90N10应用，90N10图示_封装

90N10封装尺寸图示：

封装：TO-220AB

总长度：29.7mm

本体长度：9.4mm

引脚长度：13.8mm

宽度：10.8mm

高度：4.8mm

脚间距：2.54mm

ASEMI大功率MOS管90N10参数，90N10应用，90N10图示_封装_02

90N10特征：

低栅极电荷

低输入电容

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

ASEMI大功率MOS管90N10参数，90N10应用，90N10图示_反向恢复_03