16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60

编辑：ll

16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60

型号：16N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220

最大漏源电流：16A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：0.17Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的16N60 MOS管

ASEMI品牌16N60是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了16N60的最大漏源电流16A，漏源击穿电压600V.

•细节体现差距

16N60,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

16N60具体参数为：最大漏源电流：16A，漏源击穿电压：600V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220