ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03

编辑：ll

ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03

型号：ASE50N03

品牌：ASEMI

封装：TO-252

最大漏源电流：50A

漏源击穿电压：30V

RDS（ON）Max：5.8mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：低压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

ASE50N03场效应管

ASE50N03的电性参数：最大漏源电流50A；漏源击穿电压30V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=30V，Id=50A

RDS（开）:5.8mΩ （最大值）@VG=10V