ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50

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ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50

型号：ASE28N50

品牌：ASEMI

封装：TO-247

最大漏源电流：28A

漏源击穿电压：500V

RDS（ON）Max：0.2Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~175℃

备受欢迎的ASE28N50 MOS管

ASEMI品牌ASE28N50是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE28N50的最大漏源电流28A，漏源击穿电压500V.

•细节体现差距

ASE28N50,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

ASE28N50具体参数为：最大漏源电流：28A，漏源击穿电压：500V，反向恢复时间： ns，封装：TO-247