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100N10-ASEMI中低压MOS管100N10

型号：100N10

品牌：ASEMI

封装：TO-220AB

最大漏源电流：100A

漏源击穿电压：100V

RDS（ON）Max：0.24Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：中低压MOS管

工作结温：-55℃~150℃

100N10场效应管

100N10的电性参数：最大漏源电流100A；漏源击穿电压100V

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