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30P04-ASEMI中低压P沟道MOS管30P04

型号:30P04

品牌:ASEMI

封装:TO-220F

批号:最新

最大漏源电流:-30A

漏源击穿电压:-40V

RDS(ON)Max:17mΩ

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:P沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流:ua

特性:P沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55℃~150℃

备受欢迎的30P04 MOS管

ASEMI品牌30P04是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了30P04的最大漏源电流-30A,漏源击穿电压-40V.

•细节体现差距

30P04,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

30P04具体参数为:最大漏源电流:-30A,漏源击穿电压:-40V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220F

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