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65R330-ASEMI超洁MOS管65R330

型号:65R330

品牌:ASEMI

封装:TO-220F

批号:最新

最大漏源电流:13A

漏源击穿电压:650V

RDS(ON)Max:330mΩ

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管、超洁MOS管

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55℃~150℃

备受欢迎的65R330 MOS管

ASEMI品牌65R330是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了65R330的最大漏源电流13A,漏源击穿电压650V.

•细节体现差距

65R330,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

65R330具体参数为:最大漏源电流:13A,漏源击穿电压:650V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220F

65R330-ASEMI超洁MOS管65R330_ASEMI

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