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65R260-ASEMI超洁MOS管65R260
型号:65R260
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
最大漏源电流:15A
漏源击穿电压:650V
批号:最新
RDS(ON)Max:262mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:超洁MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
65R260场效应管
65R260的电性参数:最大漏源电流15A;漏源击穿电压650V
特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=-550V,Id=15A
RDS(开):262mΩ (最大值)@VG=10V