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65R260-ASEMI超洁MOS管65R260

型号:65R260

品牌:ASEMI

封装:TO-220F

最大漏源电流:15A

漏源击穿电压:650V

批号:最新

RDS(ON)Max:262mΩ

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS管

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:超洁MOS管、N沟道MOS管

工作结温:-55℃~150℃

65R260场效应管

65R260的电性参数:最大漏源电流15A;漏源击穿电压650V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=-550V,Id=15A

RDS(开):262mΩ (最大值)@VG=10V

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