ASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N10

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ASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N10

型号：ASE80N10

品牌：ASEMI

封装：TO-252

批号：最新

最大漏源电流：80A

漏源击穿电压：100V

RDS（ON）Max：9.5mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的ASE80N10 MOS管

ASEMI品牌ASE80N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE80N10的最大漏源电流80A，漏源击穿电压100V.

•细节体现差距

ASE80N10,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

ASE80N10具体参数为：最大漏源电流：80A，漏源击穿电压：100V，反向恢复时间： ns，封装：TO-252