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ASE80N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N03

型号：ASE80N03

品牌：ASEMI

封装：TO-252

最大漏源电流：80A

漏源击穿电压：30V

批号：最新

RDS（ON）Max：6.5mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：中低压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

ASE80N03场效应管

ASE80N03的电性参数：最大漏源电流80A；漏源击穿电压30V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=-4.5V，Id=20A

RDS（开）:6.5mΩ （最大值）@VG=3V

ASE80N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N03_ASEMI

ASE80N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N03_ASE80N03_02

ASE80N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N03_ASEMI_03