65w氮化镓充电器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降压芯片 NDP1460PQB和PD协议芯片XPD737+XPD767套片组合，2C1A接口配置，USB-C1/C2接口均支持65W快充，USB-A口也支持快充，并支持功率自动分配，能够满足手机，笔记本电脑以及老式设备的快速充电需求。PN8783内部集成电流模式控制器，采用了特有的多模式调制技术和特殊器件
MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关，60-80V低压mos系列，常用于光伏储能、BMS、逆变器等领域，是光伏储能、BMS、逆变器专用mos管！耐压60V mos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5NL5、SVGP066R1NL5、SVG069
PD快充协议是一种高速充电技术，能够快速给移动设备充电，并且不会产生过热等安全问题。而这种协议需要配合芯片才能实现快速充电，因此，在选择PD快充协议芯片时需要根据具体的使用场景以及需求进行选型，推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd协议芯片方案。 常用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型 36W和36W以内单C、单PD的非标市场主推XPD317
自iPhone 8开始，后续的苹果手机都支持快充，然而随着iPhone 12系列手机的推出以及取消多部机型标配充电器这一传统，从iPhone的全球出货量来看，已经造成了上亿规模的快充市场空缺,顺势推出20W A+C双口pd快充充电器方案，提供一站式服务。20W A+C双口pd快充充电器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，该芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能
P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件，P-MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。和N沟道 MOSFET产品相比，P沟道MOSFET产品需求远小，但在某些应用领域，P沟道MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性，目前可提供-30 ~ -150V，-3~-46A的P 沟道 MOSFET解决方案，封装主要有SOP-8、TO-252、PDF
MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4N65F/M/MJ/D电性参数：4A 6
自从iPhone 12系列手机取消标配充电器以来，各大手机品牌纷纷跟进，目前Apple手机/平板电脑等多种数码产品充电功率需求进一步提升，20W快充已经无法满足快速充电需求，30W PD快充成了继20W PD快充之后的另一大潜力市场，骊微电子推出基于PN8165+PN8307H的30W小体积PD快充参考设计，以满足快充市场需求！30w快充设计方案30W PD套片方案：主控芯片采用PN8165，次级
GaN快充已然成为了当下一个非常高频的词汇，在GaN快充市场迅速增长之际，65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点，从而率先成为了各大品牌的必争之地，ncp1342替代料PN8213 GaN充电器主控芯片，适用于65w GaN充电器芯片方案。NCP1342替代料PN8213芯片特征■ 内置高压启动电路■ 供电电压9~57V,适合宽输出电压应用■ Valley Lock：技术提
随着科学技术日新月异的发展，人们对电源系统的性能要求也不断提高，OB2269电源芯片用CR6842代换采用简单而高效的反激式隔离 AC-DC开关电源的设计方法，具有较高的性价比，满足广大客户的需求。 CR6842国产芯片代替ob2269特点 ■ 高集成特性可使系统外部器件减至最少 ■ 低的启动电流：7.5uA（Typ）、低的工作电流：3mA（Typ） ■ 内置频率抖动以改善 EMI 特性 ■ 内
TM1650替换芯片GN1650内部集成有MCU输入输出控制数字接口、数据锁存器、LED 驱动、键盘扫描、辉度调节等电路
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