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RHRP15120-ASEMI快恢复二极管原理
快恢复二极管的内部结构是增加P型硅材料和N型硅材料之间的基区I，以形成PIN硅晶片。因为基极区很薄，所以反向恢复电荷非常小，这不仅大大减小了TRR值，而且减小了瞬态正向压降，因此管子可以承受较高的反向工作电压。
快恢复二极管的反向恢复时间通常为数百纳秒，正向电压降约为0.6V，正向电流为几安培至几千安培，反向峰值电压可以达到几百至几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步降低，因此其trr可以低至数十纳秒。低于20A的大多数快恢复二极管都采用TO-220封装。所以我们的RHRP15120-ASEMI快恢复二极管就是TO-220封装。
当施加负电压（或零偏置）时，快恢复二极管等效于电容器+电阻；当施加正电压时，快恢复二极管等效于小电阻。通过改变结构的尺寸并选择快恢复二极管的参数，短路阶梯状脊形波导的反射相位（基准相位）与由正电压PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还需要由具有负电压（或0偏置）的快恢复二极管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反（在-164°和+ 164°之间）。
型号：RHRP15120
类型：快恢复二极管
电性参数：15A，1200V
封装：TO-220AC
正向电流(If)：15A
正向电压(VF)：3.2V
浪涌电流Ifsm：200A
漏电流(Ir)：100µA
工作温度：-65 ℃ ~ 175 ℃
恢复时间(Trr)：75 ns
以上就是关于RHRP15120-ASEMI快恢复二极管原理的详细介绍。ASEMI品牌在整流桥和二极管领域已有12年的专业经验，供应全系列高品质，高性能的整流桥和二极管产品。
