#三星内存颗粒#
今天买了1pcs三星的内存条看到内存条上面的颗粒上面有一串编号，不知道是什么意思，于是打开网页就一发不可收拾的有了后面的内容。
内存条它的英文缩写DIMM，英文名：Dual-Inline-Memory-Modules，中文名：双列直插式存储模块，别名：内存条。它目前有五个兄弟，RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM、ECC UDIMM。
RDIMM(Registered-Dual-Inline-Memory-Modules)带存储器的双列直插式存储模块。
LRDIMM(Load Reduced Dual-Inline-Memory-Modules)低负载双列直插式存储模块。
UDIMM(Unregistered Dual-Inline-Memory-Modules)无缓冲双列直插式储存模块。
SODIMM(Small Outline Dual-Inline-Memory-Modules)无缓冲小型双列直插式存储模块。
ECC UDIMM(Error Checking and Correcting Dual-Inline-Memory-Modules)带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块 / 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块。
对比我买的那根内存条我这个是UDIMM，我有想弄明白这颗粒上的编码是什么意思，于是找到了官网上的编码格式。
不难看出“K”表的是三星这个品牌，“4A”表示DDR4 SDRAM (1.2V VDD)四代内存颗粒。前面三个位是固定的，后面的几个位都不是固定的需要参照下面的信息列表。
容量这里的需要注意4Gb=512mb、8Gb=1GB、16Gb=2GB、32Gb=4GB这样换算过来，Blank位宽与位宽意思差不多越大越好，接口是电源电压(VDD输出缓冲器和核心逻辑器供电电压、VDDQ输出缓冲供电电压)接口W表示POD(可以降低寄生引脚电容和I\O端功耗，在VDDQ电压不稳定的情况下稳定工作)这种电平(工艺)有兴趣的可以找找资料，版本就不多说了。
封装都是FBGA封装，正常工作温度范围。
速率包括频率、CL内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间(稳定操作系统)、tRCD行寻址至列寻址延迟时间(数值越小越好)、tRP内存行地址控制器预充电时间(数值越小读写速度就越快)。
在颗粒上面还有几个小字“SEC 716”SEC是三星电子的缩写，716表示的是颗粒的生产时间17年的第16周。最底下的一排序号，我真的不明白是什么意思，应该是内部的标识吧。到现在我终于基本知道我买的这根内存条上面一个颗粒上面的编码是什么意思了等下再看看这个内存条标签编码是什么意思。
