目录
理论基础
ADS和CST仿真1分二功分器设计
指标：
具体设计---ADS
新建工程--->预先设置（包括层、全局单位设置）
原理图绘制-仿真
Layer绘制-仿真
具体设计---CST
ads导出
cst导入
问题
理论基础
分功率器基本要求：输出功率按一定比例分配；各个输出口之间互相隔离；输入输出口必须匹配
二等分功率分配器
为了满足输入口1的无反射条件，
适当选择R和
的值，从而可以使2、3口得到隔离R的位置与接R的引线长短有关，故
要调整决定，离开分支点的距离应该稍大于0.25*λg
当 
由于2及3两路结构上对称，故功率是平分的
分功器两平分臂之间的距离不宜过大，一般取2~3个带条宽度，50欧姆宽度
这样可以使跨接在两臂之间的隔离电阻的寄生效应尽量减小
ADS和CST仿真1分二功分器设计
1.指标：
频率：2.0-2.3GHz
S11<-10dB
隔离度<-15dB
介质PTFE(2.65)
厚度0.762mm
2.具体设计---ADS
2.1 新建工程--->预先设置（包括层、全局单位设置）
2.2 原理图绘制-仿真
工程建立和预先设置完成后，开始原理图绘制，添加威尔金森功分器和介质基板部件和S参数部件，并根据指标完成相应参数设计
Note：威尔金森功分器在Passive Circuit DG-Microstrip Circuits中
完成上述部件的添加后，在菜单栏中选择设计向导从而自动完成威尔金森功分器电路设计
点击上图的扳手图标，实现电路自动生成
原理图仿真结果如上图所示，满足指标要求。
2.3 Layer绘制-仿真
首先，将S参数部件、介质基板部件、端口部件和威尔金森功分器里面的隔离电阻进行屏蔽
选择layout--->生成layer形式
从上图可以看出，layer层设计已经生成。但是此时标签太影响整体的视图
我们可以通过view-->layer view-->Hide Non-Sbstrate Layers对标签进行隐藏
接下来，进行电磁仿真环境设置，即EM设置
主要对介质层、端口和频率三部分进行设置
设置介质基板，采用的是PTFE(2.65)，介质上表面为微带线金属层，下表面为接地金属层
设置频段
退出em设置，添加端口，在左上角那个六边形小图标，以顺序对应编号端口
确认em设置没问题后（保证端口和微带线的层是在介质基板上层金属板上）
将该laye层世界创建为一个标识，便于后续在schematic上进行添加仿真
完成之后，我们可以在主界面查找到我们所创建的symbol
再重新建立一个原理图，按照相应步骤添加我们刚才所创建的symbol模型
对该器件进行操作，这是比较关键的一步
选中器件后，点击choose view for simulation
为该symbol设置我们之前所设置电磁仿真设置，即em设置-->emModel
★Notes：如果不设置这一步的话，后续会出现仿真错误
ERROR: (stdcmds.ael line 135, column 12)
Error generating netlist for "power_divided_lib:cell_2:schematic": Failed to create netlist:
There is no corresponding terminal for `P1' in the netlisted view `power_divided_lib:cell_1:schematic'.
解决方案：将该symbol进行choose view for simulation==>选择emModel，即可以解决问题
完成之后，添加S参数部件、介质基板部件、端口和隔离电阻，即可完成layer层原理图设计
如下图所示为仿真结果，可以满足指标
3.具体设计---CST
3.1ads导出
屏蔽掉S参数、介质基板部件、端口和隔离电阻后，生成layer层设计
然后在全选（ctrl+A）,然后融合 （shift+U）。
这样出来的图就比较平整，也方便我们往外导出DXF文件时的整洁。存储路径可以自己选择，我一般放在桌面。导出成功后会提示，导出完成。下图所示为融合完后的图
导出后，可以看到对应窗口提示导出完成
3.2cst导入
如上图所示为导出的模型，之后我们在进行介质基板绘制、端口添加、频率设置和隔离电阻添加
仿真结果，基本满足要求
4.问题
Q:ADS导出来的图形出现极其微小缝隙
A:精度问题,可以把精度设置小一点
