一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战
修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤，主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分，以提高衬底的尺寸精度和边缘质量。然而，修边过程中由于机械应力、热应力以及工艺参数的精确控制难度，往往会导致衬底表面TTV的变化，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。
二、影响修边处理后TTV变化的关键因素
修边工艺：修边工艺的选择直接影响TTV的变化。不同的修边工艺，如机械
功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率，同时降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品，它们也并非都是一样的。为了实现碳化硅技术的
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2020-06-27 06:08:00
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半导体行业在现代科技发展中起着举足轻重的作用，而作为半导体芯片的底层材料，碳化硅衬底不仅扮演着重要角色，更在高温、高压、大功率等极端条件下的应用中显示出了其卓越的性能。
要制作出质量优良的碳化硅衬底，就离不开碳化硅衬底研磨液，它主要具备以下几点作用：
1.悬浮作用
研磨液中一般要加入磨料，磨料力度很大且硬度很高。游离磨料的加入要求研磨液具有良
原创
2023-07-26 19:57:52
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在当今蓬勃发展的半导体产业中，碳化硅（SiC）衬底作为关键基础材料，正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言，其 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）参数犹如精密天平上的砝码，细微的偏差都可能让后续芯片制造工艺失衡，而不同的吸附方案则像是操控这一精密测量天平的无形之手，深刻影响着测量结果的精准度。
一、传统大面积真空吸附方案
大面积真空吸附长期以来在碳化硅衬底测量领域占据一席之地。
一、引言
沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层，以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中，不仅要保证外延层的填充率，还要避免空洞和缺陷的产生，从而确保器件的稳定性和可靠性。
二、外延填充方法
实验准备
在进行外延填充之前，首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验
碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中，碳化硅片的减薄是一个重要环节，它可以提高器件的散热性能，并有助于降低制造成本。然而，在减薄过程中，碳化硅表面往往会出现纹路，这些纹路不仅影响器件的外观质量，还可能对器件的电学性能和可靠性产生不利影响。因此，如何减少减薄碳化硅纹路成为了一个亟待
在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中，碳化硅衬底的 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）测量精度直接影响后续芯片加工工艺的良率与性能，而不同的吸附方案在这一测量过程中扮演着举足轻重的角色，环吸方案更是以其独特性与其他吸附方案形成鲜明对比，对测量结果产生着显著
一、碳化硅衬底的加工流程
碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛（CMP）等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。
切割：将SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多线砂浆切割是目前常用的切割方式，关键在于确保切割后的晶片厚度均匀、翘曲度小。
粗磨：去除切割过程中产生的表面损伤和刀纹，修复变形。此过程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金刚石粉，以达到稳定的去除速率。
精磨：进一步降
碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质，这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此，开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量，对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。
检测原理
检测碳化硅外延晶片表面痕量金属
一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战
湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而，湿法腐蚀过程中，由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素，往往会导致衬底表面TTV的增加，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。
二、影响湿法腐蚀后TTV的关键因素
腐蚀液成分：腐蚀液的选择直接影响腐蚀速率和均匀性。不同的腐蚀液对碳化硅的腐蚀
一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战
激光退火是一种先进的热处理技术，通过局部高温作用，能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷，提高晶体质量，优化掺杂元素的分布，从而改善材料的导电性能和表面结构。然而，激光退火过程中，由于激光能量分布的不均匀性、退火参数的精确控制难度以及衬底材料的初始状态等因素，往往会导致衬底表面TTV的变化，进而影响后续加工工序和最终产品的性能。
二、影响激光退火后TTV变化的关
随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长室的结构设计直接关系到外延层的质量和生产效率。本文将详细介绍一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室的结构及其特点。
结构概述
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构主要由以下几个部分组成：外延生长室、硬质保温层、导气管连接器
碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的半导体材料，在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延生长是实现高性能SiC器件制造的关键环节。然而，SiC外延生长过程对温度、气氛、衬底质量等因素极为敏感，因此需要设计一种高效、稳定的高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法，以满足工业生产的需求。
装置结构
高温大面积碳化硅外延生长装置主要由以下几个部分组
一、引言
随着半导体技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的材料，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是实现高性能SiC器件制造的关键。钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置作为一种先进的生长设备，以其独特的结构和高效的生长性能，成为制备高质量SiC外延片的重要工具。本文将详细介绍钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置的结构、工作
一、碳化硅衬底TTV控制的重要性
碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本，以及最终产品的质量和性能。因此，在碳化硅衬底的加工过程中，TTV控制是至关重要的一环。
二、硅棒安装机构的设计原理
为了有效控制碳化硅衬底的TTV，我们设计了一种新型的硅棒安装机构。该机构通过精确控制硅棒的定位和固定方式，确保在切割过程中硅棒能够稳定
新能源电动汽车爆发式增长的势头不可阻挡，国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，对提升新能源汽车加速度、续航里程、充电速度、轻量化、电池成本等各项性能尤为重要。
原创
2023-05-04 10:14:59
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编辑-Z力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数：型号：LSIC1MO120E0080漏极-源极电压（VDS）：1200V连续漏电流（ID）：25A功耗（PD）：214W工作结温度（TJ）：-55 to +175℃零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA漏极源导通电阻RDS(ON)：80mΩ栅极阈值电压VGS(TH)：2.8V输入电容（CISS）：1700pF二极管正向电压（VSD）：3
原创
2022-11-17 17:26:08
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在半导体制造的微观世界里，碳化硅衬底作为新一代芯片的关键基石，其厚度测量的精准性如同精密建筑的根基，不容有丝毫偏差。然而，测量探头的 “温漂” 问题却如同一股暗流，悄然冲击着这一精准测量的防线，给碳化硅衬底厚度测量带来诸多实际且棘手的影响。
一、“温漂” 现象的内在根源
测量探头的 “温漂”，本质上是由于温度因素致使探头自身物理特性发生改变，进而引发测量误差的现象。一方面，环境温度的波动是 “温漂
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前Tesla的SiC MOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共24颗，拆开封装每颗有2个SiC裸晶(Die)所以共48颗SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速导入。不过，市场估算，循续渐进采用SiC后，平均2辆Te.
原创
2022-01-10 14:12:43
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IMW120R040M1H 采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。
原创
2022-08-15 10:48:57
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