mos工作原理：http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml，
开关特性好，长用于开关电源马达驱动，CMOS相机场合。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层
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2018-08-23 09:23:00
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MOS管入门----只谈应用，不谈原理https://
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2023-06-06 11:02:37
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源极S、漏极D、栅极G 源极S：提供多数载流子的来源（P型-空穴、N型-电子） 漏极D：接受这些多数载流子的端点 栅极G：多晶硅组成，NMOS时接受正电压，PMOS时接受负电压 基极（Bulk/Body）：硅在基极中分P型半导体掺杂和N型半导体掺杂 由栅极+氧化层（二氧化硅）+基极=MOS电容 ...
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2021-08-23 18:41:00
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在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。下
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2021-08-03 10:02:13
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工程师们在MOS管选型时，首先要看的就是MOS管手册，拿到手册时，我们怎样去理解那几页到十几页的内容呢？其实并不是每个参数都要特别关心，我们只需重点关注几个重要参数，下面分享一下我对MOS管手册的一些理解。以IRFP460为例来进行说明： 打开规格书，首先看到的就是MOS管的引脚示意图、封装形式和三个重要参数。一般看到这个，心里对这个管子有初步的了解，知道适合在哪个功率等级使用。VDSS
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2022-10-08 15:50:36
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当需要改变电流方向或切换到下一个相位时，需要保证前一个相位的功率开关完全关闭，后一个相位的功率开关完全打开。然而，由于开关
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2023-11-10 12:03:39
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MOS管100N03产品特征-FS100N031、此功率MOSFET是使用KIA的先进平面条纹DMOS技术生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻，提供了优越的开关性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。这些适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。2、RDS(on)=3.1m?@VGS=10V3、增强的dv/dt能力4、快速切换 5、绿色设备可用MOS管100N03
原创
2022-07-04 18:41:41
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从二极管到三极管再到MOS管，技术的不断进步使得大规模集成电路称为可能。目前来说，集成电路芯片中的门电路都是基于MOS管实现的。
原创
2022-04-12 14:27:36
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场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。 但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来
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2012-02-10 16:13:00
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从二极管到三极管再到MOS管，技术的不断进步使得大规模集成电路称为可能。目前来说，集成电路芯片中的门电路都是基于MOS管实现的。
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2021-08-20 11:07:04
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杰杰 物联网IoT开发 2017-10-12大家好，我是杰杰。 今晚，设计电路搞了一晚上，终于从模电渣渣的我，把MOS管理解了那么一丢丢，如有写的不好的地方，请指出来。谢谢。 我带的师弟选的...
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2019-09-07 17:47:00
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MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件，很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，应用广泛，特别是在大规模的集成电路中。根据导电沟道的不同，MOS管可分为N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。现在以N沟道器件为例来介绍一下MOS管的工作原理。MOS管的基本工作原理是利
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2023-06-13 09:40:54
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P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件，P-MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。和N沟道 MOSFET产品相比，P沟道MOSFET产品需求远小，但在某些应用领域，P沟道MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性，目前可提供-30 ~ -150V，-3~-46A的P 沟道 MOSFET解决方案，封装主要有SOP-8、TO-252、PDF
原创
2023-01-03 15:18:25
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说起MOS管，有些人的脑子里可能是一团浆糊，书上说的文字一大堆，今天小亿从物联网实用角度来介绍MOS管中最常用的NMOS，
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2022-08-08 17:21:22
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HC5N10100V5A特点N通道，5V逻辑电平控制增强模式低的接通电阻 @ VGS=4.5 V快速切换100%雪崩测试无铅镀铅；符合RoHS标准零件编号 包装类型 标记胶带和卷轴信息HC5N10 SOT23 HC5N10 3000pc/盘MOS管在DCDC恒压/恒流电路中扮演着重要的角色。DCDC恒压电路用于将一个直
参见：https://zhidao.baidu.com/question/575450692.html图中使用的是NMOS管，左边的电路中，控制端为0V时MOS管关断，S极的电平为0，当G极给一定电压U0时MOS管导通，这时候负载（R）有电流（I）通过，S极的电压为U1 = R * I，这时候G极和S极之间的压差为U2=U0-U1，当U2不能够将MOS管完全导通时流过负载的电流就会降低，最后达到一个
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2021-06-17 16:09:47
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博主福利：100G+电子设计学习资源包！http://mp.weixin.qq.com/mp/homepage?__biz=MzU3OTczMzk5Mg==&hid=7&sn=ad5d5d0f15df84f4a92ebf72f88d4ee8&scene=18#wechat_redirect --------------------------------------
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2022-11-01 15:47:24
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导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管(FET)，简称场效应管。场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管(JFET)，另一类是绝缘栅场效应管(MOSFET)。即使搜索“结型场效应管”，出来的也只有几种，你是不是怀疑结型场效应管已经被人类抛弃了的感觉，没错，JFET相对来说是比较少使用的。下面我们就跳过JFET，来点实际的，还是直接分
原创
2021-08-26 14:25:03
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01MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 Drain→Source穿通击穿
原创
2022-03-09 10:16:21
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