半导体后道测试的主要作用监控产品质量，测工艺，以提高良率及产品质量。后道测试设备具体流程可分为设计验证、在线参数测试、硅片拣选测试、可靠性测试及终测。本期SPEA和大家简答介绍下CP测试和FT测试的相关流程。 晶圆检测环节：（CP Circuiq Probing ）晶圆检测是指在晶圆完成后进行封装前，通过探针台和测试机的配合使用，对晶圆上的裸芯片进行功能和电参数测试。其步骤为：1、探针台
关于晶圆测试探针台所生成的Map转换器使用说明可适用探针台分类软件说明软件界面介绍软件（部分）界面预览软件常用设置及使用教程 可适用探针台分类TSK（90A/UF200/UF3000）
TEL（P8/P8XL/P12）
PT301/M软件说明软件名称-->MapToolKit.exe
其他附件-->TELMapDLL.dll
其他附件-->TSKMapDLL.dll
其他附件--
背景：晶圆表面缺陷检测设备主要检测晶圆外观呈现出来的缺陷，损伤、毛刺等缺陷，主要设备供应商KLA，AMAT，日立等，其中KLA在晶圆表面检测设备占有市场52%左右。缺陷检测设备是提高良率最核心的设备。在晶圆正面已有电路结构时，正面缺陷检测就需要用到有图案缺陷检测设备了，而背面、边缘的检测仍使用无图案缺陷检测设备。有图案缺陷检测分为明场和暗场两种，明场用宽波段的等离子体光源，暗场用单一波长的激光，两
晶圆代工解决方案 中芯国际是一家纯晶圆代工厂，向全球客户提供0.35微米到14纳米8寸和12寸芯片代工与技术服务。中芯国际除高端的制造能力之外，还为客户提供全方位的晶圆代工解决方案，包括光罩制造、IP研发及后段辅助设计服务等一站式服务(包含凸块加工服务、晶圆探测，以及最终的封装、测试等)。全面一体的
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2021-05-13 06:05:00
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# 晶圆制造与ARM架构的结合
在现代信息技术的快速发展中，晶圆制造和ARM架构已经成为推动电子设备革新和发展的关键因素。本文将会深入探讨这两者之间的关系，并给出一些简单的代码示例，帮助大家更好地理解其中的原理。
## 一、晶圆制造基础
晶圆制造是半导体产业的重要环节，其过程包括多个步骤，如光刻、刻蚀、离子注入和化学气相沉积等。这些步骤的最终目标是将电子电路集成到一个硅基片上，形成功能强大的
原创
2021-09-06 10:54:00
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我也是门外汉，这里写出来只是为了以一种易于理解的方式交流共勉，不足之处指正批评 晶圆是一个圆形的硅片，是制造集成电路（IC）的基础材料。硅片的直径通常在150毫米到300毫米之间。在晶圆上，通过光刻和蚀刻等工艺，在其表面生成多个集成电路。 die就是在晶圆上蚀刻的出基本电路后将其切割成方形后的半成
在半导体制造领域，晶圆的加工精度和质量控制至关重要，其中对晶圆 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中，而晶圆的环吸方案因其独特设计，与传统或其他吸附方案相比，对 BOW/WARP 测量有着显著且复杂的影响。
一、常见吸附方案概述
传统的吸附方案包括全表面吸附、边缘点吸附等。全表面吸附利用真空将晶圆整个底面紧密贴合在吸盘上，能提供稳定的吸
在半导体制造领域，晶圆作为芯片的基础母材，其质量把控的关键环节之一便是对 BOW（弯曲度）的精确测量。而在测量过程中，特氟龙夹具的晶圆夹持方式与传统的真空吸附方式有着截然不同的特性，这些差异深刻影响着晶圆 BOW 的测量精度与可靠性，对整个半导体工艺链的稳定性起着不可忽视的作用。
一、真空吸附方式剖析
真空吸附方式长期以来在晶圆测量领域占据主导地位。它借助布满吸盘表面的微小气孔，通过抽真空操作，使
晶圆面型参数厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工艺必须考虑的几何形貌参数。其中TTV、BOW、Warp三个参数反映了半导体晶圆的平面度和厚度均匀性，对于芯片制造过程中的多个关键工艺质量有直接影响。
TTV、BOW、WARP对晶圆制造工艺的影响
对化学机械抛光工艺的影响：抛光不均匀，可能会导致CMP过程中的不均匀抛光，从而造成表面粗糙和残留应力。
对薄膜沉积工艺的影
FinFET与2nm晶圆工艺壁垒 谈到半导体工艺尺寸的时候，通常对于下面的一串数字耳熟能详：3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、0.35um、0.25um、0.18um、0.13um、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm...有人说5nm是半导 ...
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2021-05-19 06:18:00
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STDF(Standard Test Data File)，即标准测试数据文件，是半导体行业芯片测试数据的存储规范，1985年由Teradyne公司发布，到目前为止已经经过了30多年的发展，已非常成熟。最新版是2007年发布的第四版本。发现github上已经有人写过完整的STDF读取库了，拿来稍微改改就能直接用。https://github.com/guyanqiu/STDF-Reader
整个项
晶圆级倒装装备的运控系统主要由工控机、运动控制馈装置采用的是海德汉的增量式光栅尺，光栅尺的定位精度，决定了整个系统的精度，光栅尺的扫描频率决定了直线电机运动的理论最大速度，其
原创
2022-12-10 00:36:37
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在半导体晶片生产工厂中，每天都会有大量的芯片在生产、传输，通过RFID技术，可以对晶圆盒进行识别、智能管理，确定晶片在生产过程中的工艺流程、生产进度等，实时跟踪与优化生产过程中的每一步，确保晶片在生产过程中保持优秀的品质。在晶片的制造过程中，硅晶片会放在FOUP晶圆盒中，每个晶圆盒都会承载着相应数量的硅晶片。而TI标签（即RFID标签）则嵌入到晶圆盒中，记录着硅晶片的尺寸、数量等重要信息。TI标签
WD4000无图晶圆检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，非接触厚度、三维维纳形貌一体测量，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量，助力半导体行业高效生产！
原创
2023-10-25 15:13:37
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半导体晶圆表面形貌的测量可以直接反映晶圆的质量和性能。通过对晶圆表面形貌的测量，可以及时发现晶圆制造中的问题，比如晶圆的形貌和关键尺寸测量如表面粗糙度、台阶高度、应力及线宽测量等，这些因素都会直接影响晶圆制造和电子元器件的质量。
原创
2023-11-03 10:29:30
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晶圆检测#碳化硅#半导体晶圆
降低晶圆TTV的磨片加工有哪些方法
降低晶圆TTV（Total Thickness Variation，总厚度变化）的磨片加工方法主要包括以下几种：
一、采用先进的磨削技术
硅片旋转磨削：
原理：吸附在工作台上的单晶硅片和杯型金刚石砂轮绕各自轴线旋转，砂轮同时沿轴向连续进给。砂轮直径大于被加工硅片直径，其圆周经过硅片中心。
优点：单次单片磨削，可加工大尺寸硅片；磨削力
碳化硅#晶圆检测
怎么制备半导体晶圆片切割刃料？
半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程，以下是一种典型的制备方法：
一、原料准备
首先，需要准备高纯度的原料，如绿碳化硅和黑碳化硅。这些原料具有高硬度、高耐磨性和高化学稳定性，是制备切割刃料的理想选择。
二、破碎与筛分
颚式破碎：将原料放入颚式破碎机中进行初步破碎，得到一定粒度的颗粒。
筛分：通过筛分设备将破碎后的颗粒进行分级，筛选出符合
如果需要解析晶圆信息，实际本质就是读取Tsk Map中的数据，将二进制数据根据规则转换为可读信息，例如转换为常见的txt格式。Tsk Map文件的标准可以参考以下网站的内容。map_data_file_manualenglish.pdf (kanwoda.com)根据设备型号的不同，数据的存储部分也会有相应的区别，分为NORMAL MAP DATA FORM，MAP DATA FILE FORM
在谈到可穿戴技术的未来时，清楚地表明了可穿戴技术创新的未来进程。响亮而明确的是，要想成功，可穿戴电子产品必须小而又要保持性能。 为了减少占用空间，从而减少整个电路板空间，微控制器每隔一代就都迁移到较小的过程节点。同时他们正在进化以执行更复杂，更强大的操作。随着操作变得更加复杂，迫切需要增加高速缓存。不幸的是对于每个新的过程节点，增加嵌入式缓存（嵌入式SRAM）变得具有挑战性，原因有很多，包括更高的
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2020-09-16 16:03:00
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