ASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N10
ASE80N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N03
ASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE10N10
ASE100N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N10
ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10
原创
2023-02-14 10:48:37
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编辑-ZASEMI中低压MOS管ASE60N10参数：型号：ASE60N10漏极-源极电压（VDS）：100V栅源电压（VGS）：±20V漏极电流（ID）：60A功耗（PD）：160W储存温度（Tstg）：-55 to 175℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ二极管正向电压（VSD）：0.85V输入电容（Ciss）：3969pF二极管反向恢复时间（trr）：35nsASE60N10封装
原创
2023-02-15 16:23:22
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ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE60N10
原创
2023-02-14 10:32:36
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编辑-ZASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。ASE28N50的电性参数是：正向电流(Io)为28A，漏极-源极击穿电压为500V，二极管正向电压(V
原创
2023-02-17 17:09:04
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ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60
原创
2023-02-17 11:54:25
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ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03
原创
2023-02-20 11:19:23
66阅读
ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06
原创
2023-02-21 11:28:37
98阅读
ASE180N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE180N08
ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04
原创
2023-02-21 13:14:22
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ASE160N08-ASEMI低压N沟道MOS管ASE160N08
编辑-ZASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。ASE20N60的电性参数是：正向电流(Io)为20A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VS
原创
2023-02-20 16:44:40
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编辑-ZASE50N06在TO-252-2L封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为15mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE50N06的最大脉冲正向电流ISM为200A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE50N06功耗（PD）为85W。ASE50N06的电性参数是：正向电流(Io)为50A，漏极-源极击穿电压为60V，二极管正向电压(V
原创
2023-02-22 17:06:12
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编辑-ZASE140N04在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为4mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE140N04的最大脉冲正向电流ISM为400A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE140N04功耗（PD）为100W。ASE140N04的电性参数是：正向电流(Io)为140A，漏极-源极击穿电压为40V，二极管正向电
原创
2023-02-23 16:54:13
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ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50
原创
2023-02-15 14:07:23
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ASE30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE30N06
ASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03
