6月14日消息，据路透社报道，安森美（Onsemi）面对电动车需求疲软、客户库存水平过高，芯片市场复苏缓慢的窘境，为了简化业务并降低成本，近日表示将在全球范围内大举裁撤约1,000名员工。除了裁员外，安森美还计划对其生产设施进行整合。据公司透露，将合并九个工厂，并重新分配300名员工，或要求他们转岗至其他工厂。这一举措旨在优化资源配置，提高生产效率。根据安森美最新的年度报告，截至2023年12月3
上桥SmartFET因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准MOSFET一样，SmartFET非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥SmartFET器件中的控制电路。控制电路持续监控输出电流和器件温度，同时针对电压瞬变和其他意外应用条件提供被动保护。这种主动和被动保护功能的结合确保了稳定可靠的应用方案，延长了器件本身及其所保护的应用负载的使用寿命。 &nb
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2022-06-14 14:07:19
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近日，安森美(onsemi)，宣布为ARRI的ALEXA 35摄像机开发了定制的高端CMOS传感器。该摄像机使用了安森美的ALEV 4 Super 35 4.6K CMOS图像传感器，分辨率为4608x3164像素（1460万像素），间距为6.075微米，具有RGB彩色滤镜，最大帧率为120 fps。该传感器采用了安森美的最新技术，实现优化像素响应、高动态范围技术（HDR）和改善高速读出时的像素一
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2022-10-11 16:44:21
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上桥 SmartFET 因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准 MOSFET 一样，SmartFET 非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥 SmartFET 器件中的控制电路。控制电路持续监控输出电流和器件温度，同时针对电压瞬变和其他意外应用条件提供被动保护。这种主动和被动保护功能的结合确保了稳定可靠的应用方案，延长了器件本身及其所保护的应用负载的使用寿命。 安森美(ons
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2022-08-29 17:29:56
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随着云计算、超大规模数据中心、5G应用和大型设备的不断发展，市场对不间断电源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化发展，设计人员面临如何在性能、能效、尺寸、成本、控制难度之间权衡取舍的挑战，安森美(onsemi)基于新一代半导体材料碳化硅(SiC)的方案，有助于变革性地优化UPS设计。 安森美是领先的智能电源方案供应商之一
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2022-07-05 11:50:54
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编辑-Z安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数：型号：FGH60N60SMD集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A最大功耗（PD）：600W储存温度范围（TSTG）：−55 to +175℃G−E泄漏电流（IGES）：±400nA集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）：2.5V输
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2023-02-17 17:08:36
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文章来源于龙人工作室
近年来，世界各地乃至中国都越来越关注、并推动着“绿色电源”的发展。
对于电源而言，既要充分利用电能，又要尽可能地减少不必要的电能消耗或损耗。作为备受业界瞩目的“节电王”，安森美半导体的汽车及电源管理部全球销售
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2008-04-12 17:42:04
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FCH041N65F安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理
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2022-10-24 11:09:14
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编辑：llFGH40N60SMD安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：FGH40N60SMD品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：40A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.08Ω引脚数量：3特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管漏电流：ua特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-40℃~175℃备受欢迎的FGH40N60SMD车规级MOS管品牌FG
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2022-10-21 10:45:17
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编辑-ZON/安森美ISL9R3060G2车规FRD参数：型号：ISL9R3060G2重复峰值反向电压（VRRM）：600V平均正向电流（IF）：30A浪涌非重复正向电流（IFSM）：325A功耗（PD）：200W操作和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 ~ 175℃反向漏电流（IR）：100uA正向压降（VF）：2.1V结电容（CJ）：120pF反向恢复时间（trr）：27nsISL9R3
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2022-10-22 15:41:20
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编辑-ZON/安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数：型号：FGH40N60SMD二极管正向电流（IF）：40A功耗（Ptot）：349W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 175℃集电极到发射极电压（VCES）：600VG−E阈值电压VGE(th)：4.5V集电极截止电流（ICES）：250uAG−E漏电流（IGES）：±400nA输入电容（Cies）：1880pF输出电容
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2022-10-17 16:44:05
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FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50
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2023-06-12 11:51:11
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编辑-Z安森美FGH60N60车规级IGBT参数：型号：FGH60N60集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A二极管正向电流（IF）：60A最大功耗（PD）：600W工作结温度（TJ）：−55 to +175℃集电极截止电流（ICES）：250uAG−E阈值电压（VGE(th)）：4.5V输入电容（Cies）：2915pF二极管正
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2023-02-13 16:44:36
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编辑-ZON/安森美FCH041N65F车规级MOS管参数：型号：FCH041N65F连续漏极电流（ID）：76A功耗（Ptot）：595W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极阈值电压V(GS)th：5V零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA栅源漏电流（IGSS）：±100nA漏源导通电阻RDS(on)：36mΩ输入电容（Ciss）
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2022-10-14 16:11:47
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编辑-Z安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数：型号：FGH60N60SFD集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A二极管正向电流（IF）：60A最大功耗（PD）：378W工作结温度（TJ）：−55 to +150℃集电极截止电流（ICES）：250uAG−E阈值电压（VGE(th)）：6.5V输入电容（Cies）：2820p
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2023-02-18 16:06:21
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编辑-ZFQL40N50参数描述：型号：FQL40N50漏源电压VDSS：500V漏极电流ID：40A漏极电流-脉冲IDM：160A栅极-源极电压VGSS：±30V功耗PD：460W操作和储存温度范围TJ, TSTG：-55
to +150℃零栅极电压漏极电流IDSS：1uA栅极阈值电压VGS(th)：5V静态漏源导通电阻RDS(on)：0.085Ω输入电容Ciss：5800 pF输出电容Coss
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2023-06-13 17:14:46
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NVHL040N65S3F安森美车规MOS管\原装现货\ASEMI代理
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2022-10-24 10:44:48
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编辑-ZON/安森美NVHL040N65S3F车规级MOS管参数：型号：NVHL040N65S3F连续漏极电流（ID）：65A功耗（Ptot）：446W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极阈值电压V(GS)th：3V零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA栅源漏电流（IGSS）：±100nA漏源导通电阻RDS(on)：33.8mΩ输入
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2022-10-14 16:12:30
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TMP7310A十路半桥驱动器芯片可完美pin to pin替代TLE94110ES（英飞凌Infineon）、NCV7720DQR2G（安森美ON）和NCV7720DQAR2G（安森美ON）。东沃电子代理的TMP7310A是一款受保护的十沟道半桥驱动器，专为汽车运动控制而设计应用，例如供暖、通风和空调 (HVAC) 襟翼直流电机控制。TMP7310A是一个提供从六个输出到十个输出的半桥驱动器，具有直接接口或SPI接口。TMP7310A半桥驱动器设计用于以顺序或并行操作驱动直流电机负载，提供短路、负载开路、电源故障和过温等诊断功能检测。
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2022-05-19 17:10:26
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编辑-ZFCH041N65F用的TO-247封装，是安森美一款汽车级MOS管。FCH041N65F的漏源导通电阻RDS(on)为36mΩ，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FCH041N65F的输入电容（Ciss）为9790pF，输出电容（Coss）为355pF。FCH041N65F的电性参数是：连续漏极电流（I
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2022-10-25 16:04:58
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