编辑-ZASEMI高压MOS管7N65参数：型号：7N65漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：7A功耗（PD）：50W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.35Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：1000pF二极管反向恢复时间（trr）：293nS7N65封装大小：封装：TO-220总长度
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2023-03-09 17:12:25
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编辑-Z7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss)为9
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2022-06-08 15:44:28
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MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4N65F/M/MJ/D电性参数：4A 6
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2022-09-16 14:54:40
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12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
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2023-03-11 13:19:46
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20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
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2023-03-13 10:21:55
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20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
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2023-02-13 11:33:23
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10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65
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2023-03-11 10:24:36
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50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
16N65-ASEMI高压N沟道MOS管16N65
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2023-03-13 10:06:13
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编辑-ZASEMI高压MOS管20N65参数：型号：20N65漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nS20N65封装规格：封装：TO-2
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2023-03-13 16:43:43
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编辑-Z12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗（PD）为140W。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有
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2023-03-10 17:03:15
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编辑-Z 6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电 ...
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2021-10-23 15:40:00
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编辑-Z4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗（PD）为50W。4N65的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。4N
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2023-03-09 17:11:45
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编辑-Z16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.55Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65功耗（PD）为70W。16N65的电性参数是：正向电流(Io)为16A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.5V，其中有3条
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2023-03-13 16:42:57
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编辑-Z20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗（PD）为239W。20N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为
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2023-02-15 16:22:35
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